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发布用户:kaitezhang
发布时间:2024-05-15 15:50:28
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具有多相光催化性能的半导体包括WOTiOCdS、ZnS、ZnO、Fe2OCdSe等,其中的TiO2由于具有抗化学和光腐蚀、性能稳定、无、催化活性高、价廉等优点而 重视和具有广阔的应用前景。半导体的能带结构是不连续的,充满电子的价带(VB)和空的导带(CB)之间由禁带隔。用作各催化剂的半导体大多为金属氧化物和硫化物,一般具有较大的禁带宽度,其中TiO2在pH为1时的带隙是3.2eV。当光子能量高于半导体吸收阀值的光照射半导体时,半导体的价带电子发生带间跃迁,即从价带跃迁到导带,从而产生光生空穴和电子;这些光生空穴和电子具有很强的氧化和还原能力,可以将吸附到光催化剂表面的污染物降解为无无害的无机小分子化合物,无二次污染问题。
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